型号: | APT1001RSVFRG |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | D3PAK-3 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | APT1001RSVFRG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT1001RBVFR | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT1001RSVR | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT1001RSVR | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT1001RSVRG | 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT10021JLL | 37 A, 1000 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT1001RSVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT1001RSVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT10021DFN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)DSS | 40A I(D) |
APT10021DN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
APT10021JFLL | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:* |