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参数资料
| 型号： | APT100GF60JU2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | APT100GF60JU2 |
APT100GF60JU2
A
PT
100G
F60J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 9
ISOTOP
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
IC1
TC = 25°C
120
IC2
Continuous Collector Current
TC = 80°C
100
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
320
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
416
W
IFAV
Maximum Average Forward Current
Duty cycle=0.5
TC = 80°C
30
IFRMS
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
39
A
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
K
E
C
G
VCES = 600V
IC = 100A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Brake switch
Features
Non Punch Through (NPT) THUNDERBOLT IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 100 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
ISOTOP Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
ISOTOP Boost chopper
NPT IGBT
K
C
G
E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GF60JU3 | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2G | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60LDQ4 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT100GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT100GF60LR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT100GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT100GLQ65JU3 | 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，1000A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT100GN120B2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
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