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参数资料
| 型号： | APT100GF60JU2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | APT100GF60JU2 |
APT100GF60JU2
A
PT
100G
F60J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
7- 9
Typical Diode Performance Curve
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GF60JU3 | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2G | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60LDQ4 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT100GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT100GF60LR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT100GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT100GLQ65JU3 | 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，1000A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT100GN120B2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
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