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参数资料
| 型号： | APT12045L2VR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 28 A, 1200 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-264MAX, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | APT12045L2VR |
APT12045L2VR
050-5993
Rev
A
10-2002
1mS
100S
TC=+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGE vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C
,CAPACITANCE
(pF)
TJ=+150°C
TJ=+25°C
Crss
Ciss
Coss
10mS
1
5
10
50 100
500 1200
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600 700 800
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
112
50
10
5
1
12
10
8
6
4
2
0
50,000
10,000
5,000
1,000
500
100
200
100
50
10
5
1
Typical Performance Curves
I
D
= 28A
VDS=600V
VDS=240V
VDS=960V
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
TO-264 MAXTM(L2) Package Outline
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| APT12080LVR | 16 A, 1200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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