收藏本站
参数资料
型号： APT13GP120BDF1
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装： TO-247, 3 PIN
文件页数： 7/9页
文件大小： 194K
代理商： APT13GP120BDF1
050-7414
Rev
D
2-2004
APT13GP120BDF1
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 90°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 13A
Forward Voltage
I
F = 26A
I
F = 13A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
3.1
3.7
2.3
APT13GP120BDF1
15
22
110
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
MIN
TYP
MAX
-
36
-
280
-
270
-3
-
390
-
1000
-6
-
150
-
1500
-20
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 15A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
0.676
°C/W
0.504
°C/W
0.00147 J/
°C
0.0440 J/
°C
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp(
°C)
Case temperature(
°C)
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
相关PDF资料
PDF描述
APT13GP120BDQ1G 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120BDQ1G 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120BDQ1 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT13GP120BDQ1 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT150GN60JDQ4 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相关代理商/技术参数
参数描述
APT13GP120BDQ1 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT13GP120BDQ1G 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT13GP120BG 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT13GP120K 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT13GP120KG 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*