参数资料
型号: APT13GP120BDF1
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装: TO-247, 3 PIN
文件页数: 8/9页
文件大小: 194K
代理商: APT13GP120BDF1
050-7414
Rev
D
2-2004
APT13GP120BDF1
TJ = 125°C
VR = 800V
7.5A
15A
30A
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
TJ = 125°C
VR = 800V
TJ = 125°C
VR = 800V
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
0
1
2
3
4
5
6
7
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
7.5A
500
400
300
200
100
0
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
.8 1
10
100 200
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2500
2000
1500
1000
500
0
15A
7.5A
30A
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
140
120
100
80
60
40
20
0
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
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