型号: | APT15GP60BDQ1 |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 4/9页 |
文件大小: | 262K |
代理商: | APT15GP60BDQ1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BSC | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT15GP60B | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT15GP60BDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT15GP60BG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT15GP60K | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT15GP60KG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
APT15GP60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |