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参数资料
| 型号： | APT15GP60BDQ1 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | APT15GP60BDQ1 |
050-7449
Rev
A
10-2005
APT15GP60BDQ1
TJ = 125°C
VR = 400V
7.5A
15A
30A
trr
Qrr
trr
IRRM
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A
)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A
)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
TJ = 125°C
VR = 400V
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
15A
7.5A
30A
TJ = 125°C
VR = 400V
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 26. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 27. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt,CURRENTRATEOFCHANGE(A/s)
-diF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 28. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 29. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Case Temperature (°C)
Figure 30. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 31. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
700
600
500
400
300
200
100
0
7.5A
30A
15A
0
1234
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
140
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Qrr
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
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| APT15GP60BG | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP60BSC | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APT15GP60KG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GP60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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