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参数资料
| 型号： | APT15GP90BDF1 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | APT15GP90BDF1 |
050-7471
Rev
C
8-2004
APT15GP90BDF1
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
0
102030
40
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 600V
RG = 5
210
100
50
10
5
0.222
0.278
0.00474F
0.125F
RC MODEL
Case temperature(
°C)
Junction
temp (
°C)
Power
(watts)
3,000
1,000
500
100
50
10
70
60
50
40
30
20
10
0
C,
CAPACITANCE
( P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE,COLLECTORTOEMITTERVOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimum Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
Cies
Coes
Cres
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GT120BRDQ1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
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| APT17M120JCU3 | 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT18-3026R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| APT15GP90K | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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