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参数资料
| 型号： | APT15GP90BDF1 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | APT15GP90BDF1 |
050-7471
Rev
C
8-2004
APT15GP90BDF1
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
10%
t
d(on)
T
J = 125°C
Drain Current
DrainVoltage
GateVoltage
5%
90%
10%
t
r
5%
Switching Energy
T
J = 125°C
Switching Energy
DrainVoltage
Drain Current
GateVoltage
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
IC
A
D.U.T.
APT15DF100
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GT120BRDQ1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GT60BRDQ1 | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GT60KR | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT17M120JCU3 | 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT18-3026R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT15GP90BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP90BDQ1G | 功能描述:IGBT 900V 43A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GP90BG | 功能描述:IGBT 900V 43A 250W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GP90K | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP90KG | 功能描述:IGBT 900V 43A 250W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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