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参数资料
型号： APT15GT120BRDQ1
厂商： MICROSEMI CORP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装： TO-247, 3 PIN
文件页数： 8/9页
文件大小： 1011K
代理商： APT15GT120BRDQ1
052-6267
Rev
C
12-2005
APT15GT120BRDQ1(G)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
35
30
25
20
15
10
5
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
1
10
100 200
C
1
10
100 200
1
10
100 200
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
,JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
(pF)
(Normalized
to
1000A/
1
10
100 200
1
10
100 200
JJ
ff
s)
I
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
I F(AV)
(A)
T
,JUNCTION
CAPACITANCE
K
,JUNCTION
CAPACITANCE
K
(pF)
(Normalized
to
1000A/
(pF)
(Normalized
to
1000A/
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (
II
°C)
,JUNCTION
CAPACITANCE
K
,JUNCTION
CAPACITANCE
K
(pF)
(Normalized
to
1000A/
(pF)
(Normalized
to
1000A/
Figure 29. Dynamic Parameters
JJ
vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
II
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
II
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
R
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
rrrr
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
RRMRRM
rrrr
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000 1200
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t
(A)
(ns)
(A)
(ns)
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
QQ
(nC)(nC)
II
(A)
(ns)
(A)
(ns)
TJ = 125°C
VR = 800V
7.5A
15A
30A
TJ = 125°C
VR = 800V
30A
7.5A
15A
60
50
40
30
20
10
0
2500
2000
1500
1000
500
0
TJ = 125°C
VR = 800V
30A
15A
7.5A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
V
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t
(A)
(ns)
(A)
(ns)
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t
(A)
(ns)
(A)
(ns)
FF
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
II
(A)
(ns)
(A)
(ns)
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
FF
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PDF描述
APT15GT120SR 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT15GT120BR 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GT60BR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT15GT60BR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT15GT60KR 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
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参数描述
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APT15GT120SRG 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT15GT60BR 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT15GT60BRD 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
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