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参数资料
| 型号： | APT15GT60BR |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | APT15GT60BR |
052-6209
Rev
C
5-2002
APT15GT60BR
T0-247 Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
VCC = 0.66 VCES
Ets = Eon + Eoff
VCE(on)
td(off)
td(on)
tf
tr
1
Figure 15, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 16, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
VCC
RG
RL =
.5 VCES
I C2
10%
90%
VGE(on)
VCE(off)
VGE(off)
2
1
From
Gate Drive
Circuitry
D.U.T.
B
IC
90%
10%
90%
10%
90%
Eoff
tf
td(off)
td(on)
tr
Eon
IC
VCLAMP
100uH
VCHARGE
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VC
A
RG
VC
D.U.T.
VCE(SAT)
t=2us
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GT60BR | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT15GT60KR | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GT60KRG | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT17M120JCU2 | 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT17N80CC3 | 11.5 A, 800 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT15GT60BRD | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT15GT60BRDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT15GT60BRDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GT60BRG | 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT15GT60KR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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