参数资料
型号: APT20GT60BRDQ1
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封装: TO-247, 3 PIN
文件页数: 5/9页
文件大小: 252K
代理商: APT20GT60BRDQ1
052-6265
Re
v
C
6-2008
APT20GT60BRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure19a,MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-To-CasevsPulseDuration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
2,000
1,000
500
100
50
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure17,Capacitancevs Collector-To-EmitterVoltage
Figure18,MinimimSwitchingSafeOperatingArea
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
10
15
20
25
30
35
40
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure20,OperatingFrequencyvsCollectorCurrent
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 5
250
100
50
10
5
1
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
C
oes
C
ies
0.407
0.314
0.00165
0.0585
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
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