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参数资料
型号： APT20GT60BRDQ1
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 43 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封装： TO-247, 3 PIN
文件页数： 7/9页
文件大小： 252K
代理商： APT20GT60BRDQ1
052-6265
Re
v
C
6-2008
APT20GT60BRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 129°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 20A
Forward Voltage
I
F = 40A
I
F = 20A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.18
2.76
1.75
APT20GT60BRDQ1(G)
15
30
110
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
15
-
19
-
21
-
2
-
105
-
250
-
5
-
55
-
420
-
15
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 25°C
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 15A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 24a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.05
FIGURE 24b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.676
0.504
0.00147
0.0440
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
D = 0.9
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