- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36709 > APT25GT120BRDQ2G 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT25GT120BRDQ2G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | APT25GT120BRDQ2G |
052-6269
Rev
B
12-2005
APT25GT120BRDQ2(G)
APT40DQ120
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GT120BRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120SRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA |
| APT25GT120SR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT25GT120BRG | 功能描述:IGBT 1200V 54A 347W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT25M100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:10 系列:* |
| APT25M100J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT25SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
| APT25SM120S | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:* 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。