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参数资料
| 型号： | APT25GT120BRDQ2G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | APT25GT120BRDQ2G |
052-6269
Rev
B
12-2005
APT25GT120BRDQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 112°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 25A
Forward Voltage
I
F = 50A
I
F = 25A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.5
2.9
1.5
APT25GT120BRDQ2(G)
40
63
210
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
26
-
350
-
570
-
4
-
430
-
2200
-
9
-
210
-
3400
-
29
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F = 40A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 40A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
FIGURE 24b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 24a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.0442
0.242
0.324
0.00222
0.00586
0.0596
Power
(watts)
Junction
temp(°C)
RC MODEL
Case temperature(°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT25GT120BRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT25GT120SRG | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT25GT120BR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AA |
| APT25GT120SR | 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APT25M100J | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:10 系列:* |
| APT25M100J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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