参数资料
型号: APT25GT120SRG
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 54 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ROHS COMPLIANT, D3PAK-3
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
代理商: APT25GT120SRG
APT25GT120BR(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,
THRESHOLD
V
O
LT
A
GE
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I
C,
DC
COLLECT
OR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
V
GE
,GA
TE-T
O-EMITTER
V
O
LT
A
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I
C
= 25A
T
J
= 25°C
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
80
70
60
50
40
30
20
10
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6
5
4
3
2
1
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
0
20 40 60
80 100 120 140 160 180 200
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
6
5
4
3
2
1
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
V
GE
= 15V
V
CE
= 960V
V
CE
= 600V
V
CE
= 240V
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 12.5A
I
C
= 25A
I
C
= 50A
T
J = -55°C
13V
11V
10V
9V
12V
8V
7V
15V
T
J = -55°C
052-6268
Rev
C
1
1-2007
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PDF描述
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