- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36709 > APT26M100JCU3 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT26M100JCU3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | APT26M100JCU3 |
APT26M100JCU3
APT
26M
100JCU3
–
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
3- 5
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
Typical Mosfet Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single P ulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
(°
C
/W
)
Maxim um Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Source
Gate
Drain
Anode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT26RF40BN | 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT3010BNR-GULLWING | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT30M85BNR-GULLWING | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT3010BNR-BUTT | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT30M85BNR-BUTT | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT27 | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
| APT27GA90BD15 | 功能描述:IGBT 900V 48A 223W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT27GA90K | 功能描述:IGBT 900V 48A 223W TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT27GA90SD15 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT |
| APT27H | 制造商:BCDSEMI 制造商全称:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。