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参数资料
| 型号： | APT30GT60KR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 400K |
| 代理商： | APT30GT60KR |
052-6204
Rev
E
12-2005
APT30GT60KR(G)
APT40DQ60
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Emitter
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
14.73 (.580)
12.70 (.500)
1.01 (.040) 3-Plcs.
0.83 (.033)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.39 (.055)
0.51 (.020)
4.08 (.161) Dia.
3.54 (.139)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Gate
Collector
6.85 (.270)
5.85 (.230)
1.77 (.070) 3-Plcs.
1.15 (.045)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
Drain
12.192 (.480)
9.912 (.390)
3.683 (.145)
MAX.
TO-220 (K) Package Outline
e3 100% Sn
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT30GT60KRG | 64 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT30M30JFLL | 88 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT30M30LFLL | 100 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT30M30B2FLL | 100 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT30M30B2FLL | 100 A, 300 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT30GT60KRG | 功能描述:IGBT 600V 64A 250W TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT30M17JFLL | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 135A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:* |
| APT30M17JLL | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 135A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:* |
| APT30M17JLL_04 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R MOSFET |
| APT30M19JVFR | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS V® 标准包装:10 系列:* |
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