型号: | APT30M85BVR |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 64K |
代理商: | APT30M85BVR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT30M85BVR | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT30M90AVR | 33 A, 300 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
APT30N60KC6 | 30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
APT31N60SCS | 31 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT31N60SCSG | 31 A, 600 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT30M85BVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT30M85SVFRG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube |
APT30M85SVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT30M90AVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT30N60BC6 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:CoolMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |