- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51264 > APT33GF120B2RD 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT33GF120B2RD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TMAX-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | APT33GF120B2RD |
APT33GF120B2RD/LRD
052-6254
Rev
C
3-2003
C,
CAPACITANCE
(pF)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(VOLTS)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
250Sec. Pulse Test
VGE = 15V
IC = IC2
TJ = +25°C
f = 1MHz
8V
Cies
Cres
10V
9V
7V
Coes
VGE=17, 15 & 13V
TC=-55°C
TC=+150°C
OPERATION
LIMITED
BY
VCE (SAT)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (TJ = 25°C)
Figure 2, Typical Output Characteristics (TJ = 150°C)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Output Characteristics @ VGE = 15V
Figure 4, Maximum Forward Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
VCE=240V
60
40
20
0
80
60
40
20
0
3,000
1,000
100
10
TC=+25°C
100S
1mS
10mS
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.05
D=0.5
0.2
0.01
SINGLE PULSE
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.1
0.02
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
1
10
100
1200
.01
0.1
1.0
10
50
0
50
100
150
200
250
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
60
40
20
0
100
10
1
20
16
12
8
4
0
VCE=960V
VCE=600V
11V
12V
8V
10V
9V
7V
VGE=17, 15 & 13V
11V
12V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT33GF120LRD | 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT4020SVFR | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT4020BVFR | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4020SVFRG | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT4025BN | 23 A, 400 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT33GF120B2RDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:FAST IGBT & FRED |
| APT33GF120B2RDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT33GF120BR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.2V ID(cont):33Amps|Fast IGBT Family |
| APT33GF120BRG | 功能描述:IGBT 1200V 52A 297W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT33GF120HR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。