- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36711 > APT33GF120LRDQ2 (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT33GF120LRDQ2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | APT33GF120LRDQ2 |
052-6280
Rev
A
11-2005
APT33GF120B2_LRDQ2(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT40DQ120
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT33GF120B2RDQ2G | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT33GF120LRDQ2 | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT33H60B | 33 A, 600 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB |
| APT33H60S | 33 A, 600 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT33N90JCCU3 | 33 A, 900 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT33GF120LRDQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT33N90JCCU2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT33N90JCCU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT33N90JCU2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 900V 33A SOT227 |
| APT33N90JCU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 900V 33A SOT227 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。