APT33N90JCCU2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT33N90JCCU2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
45
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT33N90JCCU2
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SOT-227
17+
-
全新原装现货

APT33N90JCCU2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - SIC - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES

APT33N90JCCU2 技术参数

APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 开关能量:1.315mJ（开），1.515mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/185ns 测试条件:800V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:25 APT33GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:52A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):104A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:297W 开关能量:2.8mJ（开）， 2.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 测试条件:- 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT33GF120B2RDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 开关能量:1.315μJ（开），1.515μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:170nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/185ns 测试条件:800V，25A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT32M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:303nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9326pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT32F120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18200pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT34N80LC3G APT35DL120HJ APT35GA90B APT35GA90BD15 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2