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APT34F100L

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 119

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • APT34F100LMI
    APT34F100LMI

    APT34F100LMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:欧阳先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-264

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 200

  • MICROSEMI

  • TO-264

  • 1137+

  • -
  • 全新原装现货,假一罚十

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-264L

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 9000

  • isc,iscsemi

  • TO-3PL/TO-264

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 137

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 6400

  • Microsemi

  • TO-264

  • 2022+

  • -
  • 原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0...

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • MICROSEMI

  • TO-264

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 深圳市杰世特电子有限公司
    深圳市杰世特电子有限公司

    联系人:林S

    电话:18927460633

    地址:深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535

  • 0

  • 22+

  • 15000

  • SMD

  • -
  • 进口原装现货 支持实单价优

  • APT34F100L
    APT34F100L

    APT34F100L

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-264 [L]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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  • 1
APT34F100L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
APT34F100L 技术参数
  • APT34F100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT33N90JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT33N90JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6800pF @ 100V FET 功能:超级结 功率耗散(最大值):290W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 标准包装:1 APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):64A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3V @ 15V,25A 功率 - 最大值:357W 开关能量:1.315mJ(开),1.515mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/185ns 测试条件:800V,25A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:25 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L
配单专家

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