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参数资料
| 型号： | APT40GP60JDF2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | APT40GP60JDF2 |
050-7421
Rev
D
3-2004
APT40GP60JDF2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
90%
td(off)
tf
90%
10%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
0
Switching Energy
T
J = 125 C
IC
A
D.U.T.
APT30DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
10%
tr
10%
90%
5%
td(on)
5 %
TJ = 125 C
Switching Energy
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40GU60JU3 | 86 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40M70LVR | 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT50GF120HR | 62 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-258 |
| APT50GF60JCU2 | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60JDQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT40GP60JDQ2 | 功能描述:IGBT 600V 86A 284W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT40GP60S | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT40GP60SG | 功能描述:IGBT 600V 100A 543W D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT40GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT40GP90B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
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