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参数资料
型号： APT45GP120B
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装： TO-247, 3 PIN
文件页数： 2/5页
文件大小： 91K
代理商： APT45GP120B
AP2304AGN-HF
Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. Max. Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
30
-
V
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
2
VGS=10V, ID=2.5A
-
117
mΩ
VGS=4.5V, ID=2A
-
190
mΩ
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
1
-
3
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=10V, ID=2.5A
-
2
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=30V, VGS=0V
-
1
uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=70
oC)
VDS=24V ,VGS=0V
-
10
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS=±20V
-
nA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=2.5A
-
3
5
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=24V
-
0.8
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
1.8
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=15V
-
5
-
ns
tr
Rise Time
ID=1A
-
9
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=3.3Ω,VGS=10V
-
11
-
ns
tf
Fall Time
RD=15Ω
-2
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
120
190
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=25V
-
62
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
24
-
pF
Rg
Gate Resistance
f=1.0MHz
-
1.67
-
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. Max. Units
VSD
Forward On Voltage
2
IS=1.2A, VGS=0V
-
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
2
IS=2A, VGS=0V,
-
24
-
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dI/dt=100A/s
-
23
-
nC
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse test
3.Surface mounted on 1 in
2 copper pad of FR4 board ; 270℃/W when mounted on min. copper pad.
THIS PRODUCT IS SENSITIVE TO ELECTROSTATIC DISCHARGE, PLEASE HANDLE WITH CAUTION.
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2
±100
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PDF描述
APT45GP120B 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
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