| 型号: | APT45GP120B |
| 厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类: | IGBT 晶体管 |
| 英文描述: | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装: | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数: | 5/5页 |
| 文件大小: | 91K |
| 代理商: | APT45GP120B |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120B | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT47N60HC3 | 33.5 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| APT47N60SC3 | 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT47N60BC3 | 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT47N60SC3 | 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT45GP120B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT45GP120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT45GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 100A 625W TO247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:POWER MOS 7® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| APT45GP120J | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |