型号: | APT45GP120BG |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封装: | TO-247, 3 PIN |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 91K |
代理商: | APT45GP120BG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT45GP120B | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT45GP120B | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT47N60HC3 | 33.5 A, 600 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
APT47N60SC3 | 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT47N60BC3 | 47 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT45GP120J | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):92A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 开关能量:900μJ(开),580μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |
APT45GR65B2DU30 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 |
APT45GR65BSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):118A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):224A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:543W 开关能量:* 输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/100ns 测试条件:433V,45A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |