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APT45GR65B

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质：营业执照

  • 6000

  • MICROCHIP/微芯

  • TO-247

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • TO-247

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：0755-886074588325800283206150

    地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 62

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -

  • 公司现货！只做原装！

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • TO-247

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • APT45GR65B2DU30
    APT45GR65B2DU30

    APT45GR65B2DU30

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原装正品进口现货 电话010-62104...

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 590

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 376

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APT45GR65B
    APT45GR65B

    APT45GR65B

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 62

  • Microsemi Corporation

  • TO-247-3

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • IGBT 类型
  • NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
  • 92A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
  • 168A
  • 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
  • 2.4V @ 15V，45A
  • 功率 - 最大值
  • 357W
  • 开关能量
  • 900μJ（开），580μJ（关）
  • 输入类型
  • 标准
  • 栅极电荷
  • 203nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
  • 15ns/100ns
  • 测试条件
  • 433V，45A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）
  • -
  • 封装/外壳
  • TO-247-3
  • 安装类型
  • 通孔
  • 供应商器件封装
  • TO-247
  • 标准包装
  • 1
APT45GR65B 技术参数
  • APT45GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT45GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.94nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT45GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 开关能量:900μJ（开），904μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:185nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/102ns 测试条件:600V，45A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:113A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):170A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，45A 功率 - 最大值:625W 开关能量:900μJ（开），905μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:185nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/100ns 测试条件:600V，45A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:30 APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):130A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.6V @ 15V，26A 功率 - 最大值:337W 开关能量:409μJ（开），450μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:128nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/102ns 测试条件:400V，26A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG APT5010LLLG APT5012JN APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR
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