型号: | APT5020HJN |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 28 A, 500 V, 0.2 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 170K |
代理商: | APT5020HJN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT5021HLL | 20 A, 500 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
APT5024CLL | 17 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
APT5027SNR | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT5040CNR | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
APT50GF60BR | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT5020JN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) |
APT5020SLC | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT5020SN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
APT5020SVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT5020SVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |