- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录57947 > APT5021HLL 20 A, 500 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT5021HLL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 500 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| 封装： | HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | APT5021HLL |
050-7320
Rev
-
7-2002
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOLTAGE
B
V
DSS
,DRAIN-TO-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, HIGH VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
V
GS
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE4,TRANSFERCHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
80
60
40
20
0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
80
60
40
20
0
1.14
1.13
1.12
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
VGS=15 &10V
6V
5.5V
6.5V
7V
7.5V
8V
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250 SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
Typical Performance Curves
Graph Deleted
VGS=10V
VGS=20V
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
APT5021HLL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5024CLL | 17 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT5027SNR | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5040CNR | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT50GF60BR | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT50GF60JU2 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT5022AVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT5022BN | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT5022BNF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247AD |
| APT5022BNFR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247AD |
| APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 13.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。