型号: | APT5022BNFR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封装: | TO-247AD, 3 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 926K |
代理商: | APT5022BNFR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT5020HJN | 28 A, 500 V, 0.2 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT5021HLL | 20 A, 500 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
APT5024CLL | 17 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
APT5027SNR | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT5040CNR | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):210nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 13.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 |
APT5022BNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
APT5022JN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
APT5023DN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
APT5024AVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |