- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录57947 > APT5022BNFR 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT5022BNFR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 27 A, 500 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 926K |
| 代理商： | APT5022BNFR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5020HJN | 28 A, 500 V, 0.2 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5021HLL | 20 A, 500 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
| APT5024CLL | 17 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT5027SNR | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT5040CNR | 13 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 13.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 |
| APT5022BNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
| APT5022JN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
| APT5023DN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
| APT5024AVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。