- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录57947 > APT50GF60JU2 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT50GF60JU2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 471K |
| 代理商： | APT50GF60JU2 |
APT50GF60JU2
A
PT
50G
F60J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il
,2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 8
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 1mA
600
V
Tj = 25°C
40
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
1000
A
Tj = 25°C
2.1
2.7
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.2
2.8
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 700A
4.5
5.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2250
Coes
Output Capacitance
255
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
155
pF
Qg
Total gate Charge
175
Qge
Gate – Emitter Charge
18
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 300V
IC = 50A
100
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
29
Tr
Rise Time
118
Td(off)
Turn-off Delay Time
150
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 300V
IC = 50A
RG = 10
W
190
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
30
Tr
Rise Time
80
Td(off)
Turn-off Delay Time
240
Tf
Fall Time
43
ns
Ets
Total switching Losses
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 10
W
3.6
mJ
Td(on)
Turn-on Delay Time
28
Tr
Rise Time
75
Td(off)
Turn-off Delay Time
265
Tf
Fall Time
185
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
1.8
Eoff
Turn-off Switching Energy
2.4
Ets
Total switching Losses
Inductive Switching (150°C)
VGE = 15V
VBus = 400V
IC = 50A
RG = 10
W
4.2
mJ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60B2DF2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90B2DF2 | 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90J | 80 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120B2RDL | 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT50GF60LRD | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GL60BN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT50GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。