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参数资料
| 型号： | APT50GF60JU2 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 471K |
| 代理商： | APT50GF60JU2 |
APT50GF60JU2
A
PT
50G
F60J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il
,2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 8
Diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF = 30A
1.6
1.8
IF = 60A
1.9
VF
Diode Forward Voltage
IF = 30A
Tj = 125°C
1.4
V
VR = 600V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR = 600V
Tj = 125°C
500
A
CT
Junction Capacitance
VR = 200V
44
pF
Reverse Recovery Time
IF=1A,VR=30V
di/dt =100A/s
Tj = 25°C
23
Tj = 25°C
85
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
160
ns
Tj = 25°C
4
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
Tj = 125°C
8
A
Tj = 25°C
130
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
700
nC
trr
Reverse Recovery Time
70
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
1300
nC
IRRM
Maximum Reverse Recovery Current
IF = 30A
VR = 400V
di/dt =1000A/s
Tj = 125°C
30
A
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.45
RthJC
Junction to Case
Diode
1.21
RthJA
Junction to Ambient (IGBT & Diode)
20
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ,TSTG Storage Temperature Range
-55
150
TL
Max Lead Temp for Soldering:0.063” from case for 10 sec
300
°C
Torque Mounting torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and terminals = 4mm Machine)
1.5
N.m
Wt
Package Weight
29.2
g
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU3 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP60B2DF2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90B2DF2 | 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GP90J | 80 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT50GT120B2RDL | 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT50GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 75A 277W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT50GF60LRD | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GL60BN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 |
| APT50GN120B2 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
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