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参数资料
| 型号： | APT50GF60LRD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | APT50GF60LRD |
052-6253
Rev
B
6-2002
APT50GF60B2RD/LRD
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 8, Typical VCE(SAT) Voltage vs Junction Temperature
Figure 9, Maximum Collector Current vs Case Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10, Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 11, Typical Switching Energy Losses vs Gate Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
Figure 12, Typical Switching Energy Losses vs. Junction Temperature
Figure 13, Typical Switching Energy Losses vs Collector Current
F, FREQUENCY (KHz)
Figure 14, Typical Load Current vs Frequency
IC1
0.5 IC2
IC2
IC1
Eon
Eoff
Eon
Eoff
0.5 IC2
IC2
For Both:
Duty Cycle = 50%
TJ = +125°C
Tsink = +90°C
Gate drive as specified
Power dissapation = 83W
ILOAD = IRMS of fundamental
SWITCHING
LOAD
CURRENT
(A)
TOTAL
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
B
V
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
(SAT),
COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(NORMALIZED)
SATURATION
VOLTAGE
(VOLTS)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
VCC = 0.66 VCES
VGE = +15V
TJ = +125°C
RG = 10.
VCC = 0.66 VCES
VGE = +15V
RG = 10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
0
20
40
60
80
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
0
10
20
30
40
50
0.1
1.0
10
100
1000
80
60
40
20
0
10
8
6
4
2
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
VCC = 0.66 VCES
VGE = +15V
TJ = +25°C
IC = IC2
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
20
10
5
1
0.5
100
10
1
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