参数资料
型号: APT50GT120JRDQ2
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ISOTOP-4
文件页数: 6/9页
文件大小: 450K
代理商: APT50GT120JRDQ2
052-6278
Rev
A
9-2005
APT50GT120JRDQ2
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT30DQ120
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
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PDF描述
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参数描述
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APT50GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT50GT120LR 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
APT50GT120LRG 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT