- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48371 > APT6017AFN 39 A, 600 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT6017AFN |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 39 A, 600 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, ISOLATED FPAK-5 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | APT6017AFN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT1001R3AN | 8.5 A, 1000 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| APT1002R4CN | 5 A, 1000 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT1004R2GN | 3 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
| APT802R4CN | 4.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT5085GN | 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT6017B2FLL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6017B2FLL_04 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6017B2FLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 7® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT6017B2LL | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6017B2LL_04 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。