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参数资料
| 型号： | APT6039BNR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 17 A, 600 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | APT6039BNR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT6039SNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| APT6040 | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT6040AN | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3 |
| APT6040BN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APT6040BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 |
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