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参数资料
| 型号： | APT6040BN-BUTT |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | APT6040BN-BUTT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6045BN-BUTT | 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT55M65L2FLL | 78 A, 550 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT55M65L2FLLG | 78 A, 550 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT55M65L2FLL | 78 A, 550 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT55M85JFLL | 51 A, 550 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT6040BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 |
| APT6040BNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD |
| APT6040BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT6040BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT6040BVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V |
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