- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51267 > APT6040BN-GULLWING 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | APT6040BN-GULLWING |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | APT6040BN-GULLWING |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6045BN-GULLWING | 17 A, 600 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5540BN-GULLWING | 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5540BN-BUTT | 18 A, 550 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT5545BN-BUTT | 17 A, 550 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT6040BN-BUTT | 18 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT6040BNR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD |
| APT6040BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT6040BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT6040BVR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V |
| APT6040BVRG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。