参数资料
型号: APT60GF120JRD
厂商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类: IGBT 晶体管
英文描述: 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装: ISOTOP-4
文件页数: 6/9页
文件大小: 124K
代理商: APT60GF120JRD
052-6259
Rev
B
8-2002
APT60GF120JRD
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
IC
A
D.U.T.
APT 60GF120JRD
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
18V
VCC
0
t
f
Collector Voltage
Collector Current
10%
90%
T
J = 125
C
t
d(off)
Gate Voltage
Switching Energy
90%
5 %
t
r
Collector Voltage
Collector Current
90%
T
J
= 125 C
5%
t
d(on)
Gate Voltage
Switching
Energy
10%
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
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PDF描述
APT60GF120JRD 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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参数描述
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APT60GF60JU2 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT60GF60JU3 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
APT60GL120JU2 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APT60GL120JU2_10 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module