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参数资料
| 型号： | APT65GP60J |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | APT65GP60J |
050-7439
Rev
A
4-2003
APT65GP60J
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
300
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
Cies
Coes
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.069697
0.1363636
0.0833333
0.0174613
0.226556
1.075632
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
Case temperature
RC MODEL
max
max1
max 2
max1
d (on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
187
100
50
10
7
15
25
35
45
55
65
75
85
95
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APT65GP60L2DQ2G | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT65GP60L2DQ2 | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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