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参数资料
型号： APT65GP60L2DF2
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： TO-264MAX, 3 PIN
文件页数： 4/5页
文件大小： 202K
代理商： APT65GP60L2DF2
050-7440
Rev
C
8-2004
APT65GP60L2DF2
T
J = 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J = 25°C, VGE = 10V or 15V
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
V
GE =15V,TJ=125°C
VGE= 15V
VGE= 10V
V
GE =10V,TJ=125°C
V
GE =10V,TJ=25°C
V
GE =15V,TJ=25°C
T
J = 25°C, VGE = 10V or 15V
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
R
G =5, L = 100
H, VCE = 400V
R
G =5, L = 100
H, VCE = 400V
VCE = 400V
L = 100 H
RG = 5
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 10V
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
VCE = 400V
VGE = +15V
T
J = 125°C
VCE = 400V
L = 100 H
RG = 5
TJ =125°C, VGE=15V
T
J = 125°C, VGE = 10V or 15V
TJ =125°C,VGE=10V
TJ = 25°C, VGE=10V
TJ = 25°C, VGE=15V
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
60
50
40
30
20
10
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
160
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0
140
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80
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40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
Eoff 130A
Eon2 130A
Eon2 32.5A
Eoff 65A
Eon2 65A
Eoff32.5A
Eon2 32.5A
Eoff 65A
Eon2 65A
Eon2 130A
Eoff 130A
Eoff 32.5A
VCE = 400V
TJ = 25°C or 125°C
RG = 5
L = 100 H
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PDF描述
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APT65GP60L2DQ2G 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT65GP60L2DQ2G 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT65GP60L2DQ2 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
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APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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