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参数资料
| 型号： | APT65GP60L2DQ2 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封装： | TO-264MAX, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | APT65GP60L2DQ2 |
050-7454
Rev
A
6-2005
APT65GP60L2DQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
CE = 480V
V
CE = 300V
V
CE = 120V
IC = 65A
TJ = 25°C
I
C = 130A
I
C = 65A
I
C = 32.5A
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
50
100
150
200
250
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
I
C = 130A
I
C = 65A
I
C = 32.5A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
300
250
200
150
100
50
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
250
200
150
100
50
0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
Lead Temperature
Limited
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