型号: | APT65GP60L2DQ2G |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, TO-264MAX, 3 PIN |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 442K |
代理商: | APT65GP60L2DQ2G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT65GP60L2DQ2G | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
APT65GP60L2DQ2 | 198 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
APT751R4BN | 8.5 A, 750 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT801R4BN | 8.5 A, 800 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT801R2BN | 9 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT66F60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT66F60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT66M60B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
APT66M60B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
APT66M60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |