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参数资料
| 型号： | APT75GP120JDQ3 |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | APT75GP120JDQ3 |
050-7458
Rev
A
10-2005
APT75GP120JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE = 0V, I C = 1250A)
Gate Threshold Voltage (V
CE = VGE, I C = 2.5mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 75A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE = 15V, IC = 75A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (V
CE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE = ±20V)
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
I
CES
I
GES
Units
Volts
A
nA
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
RBSOA
P
D
T
J,TSTG
T
L
APT75GP120JDQ3
1200
±20
128
57
300
300A @ 960V
543
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C = 25°C
Continuous Collector Current @ T
C = 110°C
Pulsed Collector Current 1 @ T
C = 150°C
Reverse Bias Safe Operating Area @ T
J = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT Website - http://www.advancedpower.com
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
1250
5500
±100
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch
Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching
applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
50 kHz operation @ 800V, 20A
Low Gate Charge
20 kHz operation @ 800V, 44A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA Rated
POWER MOS 7 IGBT
1200V
APT75GP120JDQ3
C
E
G
SO
T-2
27
ISOTOP
file # E145592
"UL Recognized"
G
E
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT75GP120JDQ3 | 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JRDQ3 | 97 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU2 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GT120JU3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APT75GT120JR | 制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT |
| APT75GT120JRDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GT120JU2 | 功能描述:IGBT 1200V 100A 416W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75GT120JU3 | 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APT75M50B2 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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