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参数资料
| 型号： | APT75GT120JU3 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ISOTOP-4 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 608K |
| 代理商： | APT75GT120JU3 |
APT75GT120JU3
A
PT
75G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 7
ISOTOP
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
IC1
TC = 25°C
100
IC2
Continuous Collector Current
TC = 80°C
75
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
175
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
416
W
IFAV
Maximum Average Forward Current
Duty cycle=0.5
TC = 80°C
27
IFRMS
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
34
A
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
C
A
E
G
VCES = 1200V
IC = 75A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
ISOTOP Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Low conduction losses
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
ISOTOP Buck chopper
Trench IGBT
A
C
G
E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| APT8011JFLL | 51 A, 800 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT8014JFLL | 42 A, 800 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| APT75M50B2_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT75M50L | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| APT77H60J | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel Ultrafast Recovery FREDFET |
| APT77N60BC6 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:CoolMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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