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参数资料
型号： APT75GT120JU3
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ISOTOP-4
文件页数： 2/7页
文件大小： 608K
代理商： APT75GT120JU3
APT75GT120JU3
A
PT
75G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 75A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
5340
Coes
Output Capacitance
280
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
240
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
W
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
7
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 75A
RG = 4.7
W
9.5
mJ
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