型号: | APT80GP60B2G |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封装: | B2, TMAX-3 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 94K |
代理商: | APT80GP60B2G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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APT80GP60B2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT80GP60JDF3 | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT81H50L | 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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APT80GP60J | 功能描述:IGBT 600V 151A 462W SOT227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
APT80GP60JDQ3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube |
APT80M60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 标准包装:10 系列:* |
APT80M60J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
APT80SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 40A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 |